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提高铸锭单晶的收益,不得不考虑以下几点
2018-05-14 14:13:29   来源:中光睿华   作者:于红波采编  点击:

  准单晶主要面临两个问题:位错和单晶率


  主要以技术工艺角度来阐述,不涉及设备,希望给同仁们如何降低位错的得高单晶率带来一定思考


  1、位错主要来源籽晶隐性裂纹,在长晶过程中会放大。

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  为规避装料过程的挤压带来隐性损伤及裂纹,可以采用双层籽晶的形式。多加一层可以是多晶的,最下面籽晶层一定是单晶硅,融化过程直接融到引晶层。在这个基础上长晶就可以了。


  2.坩锅侧壁杂质和凹凸不平点形成多晶核,两种方案来应对。


  第一、近坩埚壁侧用小籽晶块的形式,主要是把形成的多晶硅通过长晶位错的形式档在外边。

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  第二,现有的坩埚表面的光洁度不够,可以建议抛光打磨处理,避免因表面颗粒易造成多晶成核。


  3.界面一定要保持凸形,带来的好处有二


  第一:从中心长晶的好处,中心单晶率较高,从中心往四周长基本上会长出单晶来,收益和良率都会得到保证。


  第二 减小和规避因侧壁或者坩埚壁的凹凸点和小杂质点形成多晶核,导致在多晶基础上长晶,必然多晶率增加。


  4.坩埚形状


  因长方形坩埚原因,坩埚边极其容易形式多晶。所以使用圆形坩埚是极好的,如果还想提高单晶质量,最好使用圆底或者菱形底坩埚。


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  5.长晶速率及其它参数一定不要参考多晶硅


  第一 多晶硅的长晶速率1.5-2.3mm/min范围内,而单晶硅的长晶速率1-1.3mm/min,很多搞准单晶都是多晶出身,相当然参考多晶硅的速率,有点不靠谱。


  第二 单晶硅人员搞准单晶都比铸锭人员自己搞准单晶经验更有用一些。

 
  第三 长晶速率慢是极好的


  做到以上几点得率能到60%以上。

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